炒股配资平台哪个好APP下载超低电容双向四重ESD保护阵列

超低电容双向四重ESD保护阵列-PESD5V0U4BW

反向断态电压（典型值）5V（最大）

击穿电压（最小值）6.46V

不同 Ipp 时电压箝位：（最大值）13V

电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：2.5A（8/20µs）

功率 - 峰值脉冲：30W

不同频率时电容：16pF @ 1MHz

工作温度-65°C ~ 150°C（TA）

封装/外壳SOT-665

这种超低电容的双向四路静电放电保护器件采用超小型、扁平式的SOT666/SOT563表面贴装塑料封装结构，专为保护多达四条信号线路免受静电放电及其他瞬态现象造成的损害而设计

特点与优势：

- 支持对最多四条线路进行双向静电放电保护；

展开剩余61%

- 静电放电防护能力高达10千伏；

- 二极管的电容值极低，仅为2.9皮法；

- 符合IEC 61000-4-2标准中的4级静电放电防护要求；

- 漏电流值极低，仅为5纳安。

应用领域

计算机与外围设备

便携式电子产品

音视频设备

手机及其配件

发布于：江苏省

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